Моя заявка (0)

2N7002KA-TP, 60V 340mA 5Ohm@10V,500mA 350mW 1.4V@250uA 8pF@25V N Channel 35pF@25V -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs

2N7002KA-TP, 60V 340mA 5Ohm@10V,500mA 350mW 1.4V@250uA 8pF@25V N Channel 35pF@25V -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017641849
Артикул
2N7002KA-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
PPAP
Yes
Type
1PCSNChannel
Mounting
Surface Mount
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 340 мА при 5 ОМ при 10 В, 500 мА при 350 МВт 2.5V@250uA 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов SOT-23 ROHS

Технические параметры

PPAPYes
Type1PCSNChannel
MountingSurface Mount
Pin Count3
AutomotiveUnknown
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
КорпусSOT-23-3
ConfigurationSingle
Package Width1.4(Max)
Package Length3.04(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Standard Package NameSOT
Power Dissipation (Pd)350mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)-
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)40pF@10V
Continuous Drain Current (Id)340mA
Maximum Power Dissipation (mW)350
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10(Max)
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15(Max)
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)35@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)5000@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)8pF@25V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)10000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.34
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5Ω@10V, 500mA

Техническая документация