N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002K-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014488391
- Артикул
- 2N7002K-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- V(DS)
- 60 V
- Width
- 1.4mm
- P(tot)
- 0.2 W
- Package
- SOT-23
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 0.3A SOT23
Технические параметры
| V(DS) | 60 V |
| Width | 1.4mm |
| P(tot) | 0.2 W |
| Package | SOT-23 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 2000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.3 A |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2О© @ 500mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 300mA |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом/0.5А, 10В |