2N7002HWX, MOSFETs 2N7002HW/SOT323/SC-70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012189083
- Артикул
- 2N7002HWX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- SOT323
- Power Dissipation
- 260мВт
Цена по запросу
(от 20,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | SOT323 |
| Power Dissipation | 260мВт |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 830mW |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Линейка Продукции | Trench Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 310мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.75В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5Ω@500mA, 10V |