2N7002H6327XTSA2, MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006232656
- Артикул
- 2N7002H6327XTSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- V(DS)
- 60 V
- Width
- 1.3mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой 2N7002H6327XTSA2 от INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. Этот транзистор отличается током стока 0,3 А и напряжением сток-исток 60 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне электронных применений. С мощностью 0,5 Вт и сопротивлением в открытом состоянии всего 4 Ом, он гарантирует эффективность и экономичность в использовании. Компактный корпус PG-SOT23 обеспечивает легкость интеграции в различные схемы. Модель 2N7002H6327XTSA2 является идеальным выбором для разработчиков, ищущих надежные транзисторы с хорошими характеристиками. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.3 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 4 Корпус PG-SOT23
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| V(DS) | 60 V |
| Width | 1.3mm |
| P(tot) | 0.5 W |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 3000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| I(D)at Tc=25°C | 0.3 A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | 2N7002 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.4 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 Ω |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 300mA (Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |