Моя заявка (0)

2N7002H-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23

2N7002H-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023356907
Артикул
2N7002H-7
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 9,30 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.02
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Корпусsot23
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)4.7
Typical Rise Time (ns)2.9
Особенности-
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)510
Typical Gate Charge @ 10V (nC)352
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)352@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)3.7
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)8.4
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.17
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)26@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)7500@5V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.21
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.37
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация