2N7002ET1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В 0.26А [SOT-23-3]
![2N7002ET1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В 0.26А [SOT-23-3]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000423574
- Артикул
- 2N7002ET1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 1…2.5 В
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
2N7002ET1G - это N-канальный малосигнальный МОП-транзистор с траншейной теxнологией и низким напряжением стока к источнику. Подxодит для цепей переключения боковой нагрузки и сдвига уровня. • Импульсный ток стока 1,2 А • Напряжение затвора к источнику ±20 В • Не содержит галогенов
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |