2N7002ET1G, Транзистор N-МОП, полевой, 310 мА, 60 В SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017529312
- Артикул
- 2N7002ET1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Small Signal
- Brand:
- onsemi
- Series:
- 2N7002E
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 4,63 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 310 мА, 60 В SOT23-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | Small Signal |
| Brand: | onsemi |
| Series: | 2N7002E |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 3.6 ns |
| Rise Time: | 1.2 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT23-3 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Power Dissipation | 420мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 810 pC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-МОП |
| Drain-Source On-Res | 2.5(ohm) |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 420 mW |
| Continuous Drain Current | 0.26(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 310 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 530 mS |
| Drain Source On State Resistance | 0.86Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 310мА |
| Рассеиваемая Мощность | 420мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.86Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 Ohms |