Моя заявка (0)
2N7002E-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001168992
Артикул
2N7002E-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 590 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60 В 0,24 А, 3-контактный SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Package Width1.4(Max)
Package Length3.04(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSOT
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)350
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)0.4@4.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Maximum Diode Forward Voltage (V)1.2
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.24
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)21@5V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)3000@10V
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)20
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.24
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация