2N7002E-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, 370мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537641
- Артикул
- 2N7002E-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- 2N7002E
Цена по запросу
(от 16,14 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | 2N7002E |
| Version | N channel |
| Assembly | SMD |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Enclosure | TO-236 |
| Pin Count | 3 |
| Power loss | 370 mW |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 300 mA |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| max. Voltage | 60 V |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 223 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 370mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 540 mW |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.2x10<sup>-10</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 540 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.223 nC @ 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 220pC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 Ω |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3Ω@10V, 250mA |