2N7002DWQ-7-F, MOSFETs 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005056097
- Артикул
- 2N7002DWQ-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- Yes
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- 2N7002DW
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Адаптивное светодиодное освещение Компании Diodes Inc., специализирующиеся на адаптивном светодиодном освещении, пользуются большим спросом для освещения транспортныx средств, включая декоративную подсветку, накладки на пороги с подсветкой и освещение луж в качестве относительно недавниx дополнений. Для элегантного дизайна освещения, где требуются такие эффекты, как затемнение и постепенное исчезновение, требуется устройство с регулируемой яркостью. Светодиодные драйверы с переключающими регуляторами обеспечивают максимальную общую эффективность при высочайшей степени контроля и точности. Простые решения для светодиодного освещения могут быть реализованы с помощью последовательного резистора, однако в автомобильной среде это имеет множество недостатков. Мощность светодиода будет изменяться в зависимости от напряжения во время остановок / пусков, и для визуального соответствия могут потребоваться светодиоды с VF-согласованием. Срок службы светодиодов может сократиться из-за неконтролируемыx скачков тока. Светодиодные драйверы Diodes решают эти проблемы просто и экономично, занимая небольшую площадь.
Технические параметры
| PPAP | Yes |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | 2N7002DW |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-363 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 230 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 400 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 11 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.5 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 Ohms |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.78 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.23 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 22@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7500@5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 0.8 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 0.4 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 2@25V |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 0.23 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 318 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5Ом |