Моя заявка (0)

2N7002DWQ-13-F, 60V 230mA 7.5Ohm@5V,50mA 310mW 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs

2N7002DWQ-13-F, 60V 230mA 7.5Ohm@5V,50mA 310mW 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023469690
Артикул
2N7002DWQ-13-F
Бренд
DIODES INC.
Grade
Automotive
Brand:
Diodes Incorporated
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Матрица Моп-транзисторов 60 В 230 мА (Ta) 310 МВт (Ta) для поверxностного монтажа SOT-363

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Diodes Incorporated
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.03
Power - Max310mW(Ta)
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-363
Configuration2 N-Channel(Dual)
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Product Category:MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Структура2 N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Особенности-
Supplier Device PackageSOT-363
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA(Ta)
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.23
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7.5Ом

Техническая документация