2N7002DW-G, Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017943375
- Артикул
- 2N7002DW-G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 1300 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SC-88 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.85 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.115 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |