2N7002DW, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 73мА, 80мВт, SC70-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024654556
- Артикул
- 2N7002DW
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- Small Signal
- Width
- 1.25mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 22,41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | Small Signal |
| Width | 1.25mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | 2N7002DW |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.03 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SC-88 |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sc70-6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SC-88 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Power Dissipation | 0.2(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Elements | 2 |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Continuous Drain Current | 0.115(A) |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.85 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.5 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 13.5 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.85 |
| Maximum Continuous Drain Current | 115 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 12.5 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 Ohms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.115 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 37.8@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2000@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.073 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.08 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |