2N7002BKW,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048478695
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- Enhancement
- Brand
- Nexperia
- Product
- MOSFET Small Signal
- Fall Time
- 7 ns
Цена по запросу
(от 9,41 ₽)
Минимальный заказ: 34 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА, 0.88Вт
Технические параметры
| Type | Enhancement |
| Brand | Nexperia |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 7 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 6 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.01 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SOT-323(SC-70) |
| Configuration | Single |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 330 mW(1/3 W) |
| Power Dissipation (Pd) | 275mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 310mA |
| Id - Continuous Drain Current | 310 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |