2N7002BKVL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546294
- Артикул
- 2N7002BKVL
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.01
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 370мВт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 5,07 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 2N7002BK/TO-236AB/REEL 11" Q3/
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 370мВт |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 0.5 nC |
| Время нарастания | 6 ns |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 350мА |
| Рассеиваемая Мощность | 370мВт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Pd - рассеивание мощности | 440 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |