2N7002BKS,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8521353294
- Бренд
- Nexperia B.V.
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.35mm
- Height
- 1.1 mm
Цена по запросу
(от 49,20 ₽)
Минимальный заказ: 9 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.3 А
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.35mm |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.2 mm |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 7 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 6 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.09 |
| Длина | 2.2 mm |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-363 |
| Product Type | MOSFET |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | TSSOP6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSSOP-6 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Pd - Power Dissipation | 0.34 W |
| Power Dissipation (Pd) | 295mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 445 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 550 mS |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Qg - заряд затвора | 0.6 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Время нарастания | 6 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 440 mW |
| Другие названия товара № | 934064284115 |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 550 mS |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.6Ω@10V, 500mA |