2N7002BK,215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 245мА, 1,2Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650305
- Артикул
- 2N7002BK,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.04
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 4,62 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET,N-канальный,60 В,0,35 А,SOT23; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 350 мА; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 1 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs: 1,6 В; Отключение питания
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 370mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 440 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 350mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Qg - заряд затвора | 0.5 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Время нарастания | 6 ns |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 350 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 500mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 370mW |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 350mA |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 440 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.245 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.6Ω@10V, 500mA |