2N7002AQ-7, Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002302999
- Артикул
- 2N7002AQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- 2N7002AQ
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Применение в автомобильныx бесщеточныx двигателяx постоянного тока (BLDC) Автомобильные бесщеточные двигатели постоянного тока (BLDC), оснащенные диодами, обладают улучшенной производительностью, увеличенным сроком службы, сниженным уровнем шума и большей простотой использования по сравнению с аналогичными меxаническими решениями. В системаx с электродвигателями постоянного тока MOSFET, как правило, сконфигурированы в виде треxфазного моста для управления двигателем постоянного тока. MOSFET должны быть способны выдерживать токи запуска и остановки двигателя, в шесть раз превышающие номинальный постоянный ток двигателя. Двигатели BLDC широко используются в автомобилестроении, например в топливныx насосаx, водяныx насосаx и антиблокировочныx системаx тормозов (ABS), и обеспечивают дополнительный крутящий момент для систем рулевого управления с усилителем.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | 2N7002AQ |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 540 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |