Моя заявка (0)

2N7002AQ-13,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount

2N7002AQ-13,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046335562
Артикул
2N7002AQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
2N7002AQ
Вес, г
0.001
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:2N7002AQ
Вес, г0.001
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:540 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:33 ns
Id - Continuous Drain Current:180 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:80 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.37
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.5 Ом

Техническая документация