2N7002A-7, Транзисторы и сборки MOSFET SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009676226
- Артикул
- 2N7002A-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- 2N7002
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 22,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | 2N7002 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 540 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 540 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 220 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6О© @ 115mA,5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 370mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 180mA |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |