2N7002-TP, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,2Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002645428
- Артикул
- 2N7002-TP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 12,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60 В 0,34 А, 3-контактный SOT-23 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.4(Max) |
| Package Length | 3.04(Max) |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Process Technology | Trench |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 33 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1080 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 1.7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.7@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 0.9 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.34 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 35@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 2500@10V |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.115 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5 Ом/0.5А, 10В |