Моя заявка (0)
2N7002-T1-E3, 60V 0.115A 0.2W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025599397
Артикул
2N7002-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
SOT23
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 21,83 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 0,115A 3-контактный SOT-23 T/R

Технические параметры

CaseSOT23
PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
ConfigurationSingle
Drain current0.115A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
Maximum IDSS (uA)1
Power dissipation0.2W
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance7.5Ω
Drain-source voltage60V
Standard Package NameSOT
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)200
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Output Capacitance (pF)11
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Gate Plateau Voltage (V)4
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.5
Minimum Gate Threshold Voltage (V)1
Typical Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.115
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)22 25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)7500 10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)20
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)0.8
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)2 25V
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.115
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация