Моя заявка (0)

2N7002 Type N-Channel Single MOSFETs, 115 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002-G

2N7002 Type N-Channel Single MOSFETs, 115 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002-G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050818421
Артикул
2N7002-G
Бренд
Microchip Technology
Тип
FET
Вес, г
2.3
Длина
2.92 mm
Высота
0.93 mm
Цена по запросу
(от 111 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V 7.5Ohm

Технические параметры

ТипFET
Вес, г2.3
Длина2.92 mm
Высота0.93 mm
КорпусSOT-23
Ширина1.3 mm
ПродуктMOSFET Small Signal
Структура2 N-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокSOT-23-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности360 mW
Id - непрерывный ток утечки115 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения20 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.115
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.80 mS
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация