2N7002-G, MOSFETs BVDD=60V ID=200mA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005254455
- Артикул
- 2N7002-G
- Бренд
- Comchip Technology
- Brand:
- Comchip Technology
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 20 ns
- Вес, г
- 8
Цена по запросу
(от 23,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Comchip Technology |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 8 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Comchip Technology |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 300 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |