Моя заявка (0)
2N7002,215 Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060561159
Артикул
2N7002
Бренд
NXP Semiconductor
Brand
Nexperia
Width
1.4mm
Height
1mm
Length
3mm
Цена по запросу
(от 6 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 60 В, 300 МА, SOT-23-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 300 мА; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 2,8 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:2 В; По

Технические параметры

BrandNexperia
Width1.4mm
Height1mm
Length3mm
ТипMOSFET
ProductMOSFET Small Signals
VersionN channel
AssemblySMD
CategoryPower MOSFET
EnclosureSOT-23
PackagingReel
Pin Count3
Dimensions3 x 1.4 x 1mm
Power loss830 mW
TechnologySi
Вес, г0.05
SubcategoryTransistors
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerNexperia
Max. current300 mA
Package TypeSOT-23 (TO-236AB)
Product TypeMOSFETs
max. Voltage60 V
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Transistor Type1 N-Channel Trench MOSFET
Product CategoryMOSFETs
Мощностьпостоянная рассеиваемая(Pd)-800 мВт
УпаковкаREEL, 3000 шт.
Number of Channels1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel
Емкость, пФ50
Pd - Power Dissipation830 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation830 mW
Vgs - Gate-Source Voltage2.5V @ 250uA
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-65 °C
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Maximum Drain Source Voltage60 V
Id - Continuous Drain Current300 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance5 Ω
Typical Input Capacitance @ Vds31 pF@ 10 V
Тип проводимостиN
кол-во в упаковке3000
Maximum Continuous Drain Current300 mA
Rds On - Drain-Source Resistance5О© @ 500mA,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)830mW
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C300mA
Диапазон рабочих температур-65…+150 °С
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А0.3
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±30В
Транспортная упаковка: размер/кол-во59*46*46/30000
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм5000

Техническая документация