Моя заявка (0)

2N7002, МОП-Транзистор 60 В 115 мА 200мВт 7,5-10 В, 500 мА 2,5 В @ 250мкА N-канальные МОП-Транзистор SOT-22

2N7002, МОП-Транзистор 60 В 115 мА 200мВт 7,5-10 В, 500 мА 2,5 В @ 250мкА N-канальные МОП-Транзистор SOT-22

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039451944
Артикул
2N7002
Бренд
Luguang Electronic Technology CO.,LTD
Case
SOT23
Mounting
SMD
Вес, г
0.03
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Цена по запросу
(от 2,51 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 115мА, 225мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseSOT23
MountingSMD
Вес, г0.03
ManufacturerLUGUANG ELECTRONIC
Polarisationunipolar
МонтажSMD
Drain current0.115A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Мощность225мВт
Power dissipation0.225W
Ток стока115мА
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
On-state resistance3.75Ω
Drain-source voltage60V
Полярностьполевой
Power Dissipation (Pd)350mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)1.8nC@4.5V
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Input Capacitance (Ciss@Vds)28pF
Continuous Drain Current (Id)300mA
Тип транзистораN-MOSFET
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)4pF@25V
Напряжение сток-исток60В
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Сопротивление в открытом состоянии3.75Ом
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.115
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.85Ω@10V, 0.3A

Техническая документация