2N7002, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 800мА, 200мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026475368
- Артикул
- 2N7002
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.3mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
Цена по запросу
(от 22,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Series: | 2N7002 |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | 2N7002_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.08 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 115 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |