Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023470183
Артикул
2N7002
Бренд
R+O
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
200mW
Цена по запросу
(от 2,51 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-23
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)200mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)1.12nC
Input Capacitance (Ciss@Vds)30.5pF
Continuous Drain Current (Id)300mA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)4.1pF
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.34
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5Ω@10V, 500mA