2N7002, 60V 115mA 200mW 7.5Ohm@10V,500mA N Channel SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023469719
- Артикул
- 2N7002
- Бренд
- JSCJ
- Тип
- Полевой транзистор(MOSFET)N-канал
- Вес, г
- 0.04
- Аналог
- КП214А9
- Корпус
- sot23
Цена по запросу
(от 4,40 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 115 мА 225 МВт 2-при 10 В, 100 мА 2.5V@250uA 5 ПФ при 25 В N-канальный 50 Пф при 25 В +150-при (Tj) МОП-транзистораx SOT-23
Технические параметры
| Тип | Полевой транзистор(MOSFET)N-канал |
| Вес, г | 0.04 |
| Аналог | КП214А9 |
| Корпус | sot23 |
| Мощность | постоянная рассеиваемая(Pd)-200 мВт |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Структура | N-Channel |
| Емкость, пФ | 50 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-0.8…3 В |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.12nC |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30.5pF |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Тип проводимости | N |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.1pF |
| Максимальный ток стока Id | -0, 115 А |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Напряжение затвор-исток Vgs | ±20 В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 0.115 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 55*22*22/45000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 60 |
| Максимальное напряжение сток-исток Vdss | 60 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.115 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 7500 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rds при Id | 1.1 Ом |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5Ω@10V, 500mA |