Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024881738
Артикул
2N7002-7-F-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.05
Корпус
SOT-23
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
300mW
Цена по запросу
(от 9,80 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.05
КорпусSOT-23
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)300mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)400pC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)25pF@25V
Continuous Drain Current (Id)250mA
кол-во в упаковке3000
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)2pF@25V
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.8Ω@10V, 200mA