2N7000TA, MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584380
- Артикул
- 2N7000TA
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.19mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.45
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 38,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Width | 4.19mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.45 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-92 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |