2N7000BU, Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002160020
- Артикул
- 2N7000BU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 4.19 mm
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V N-Channel Sm Sig
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4.19 mm |
| Height | 5.33 mm |
| Length | 5.2 mm |
| Тип | MOSFET |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 10 ns |
| Packaging | Bulk |
| Rise Time | 10 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 5.2 mm |
| Серия | 2N7000 |
| Unit Weight | 0.006314 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Part # Aliases | 2N7000BU_NL |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Упаковка | Bulk |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10 ns |
| Pd - Power Dissipation | 400 mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 0.1 S |
| Время нарастания | 10 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Другие названия товара № | 2N7000BU_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.1 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |