2N7000-G, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8677493490
- Артикул
- 2N7000-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand
- Microchip
- Width
- 4.06mm
- Height
- 5.33мм
- Length
- 5.08mm
Цена по запросу
(от 124 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V 5Ohm
Технические параметры
| Brand | Microchip |
| Width | 4.06mm |
| Height | 5.33мм |
| Length | 5.08mm |
| Series | 2N7000 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.45 |
| Длина | 5.21 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-92 |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.06mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | N-Channel |
| Тип канала | N |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 0.85V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Особенности | - |
| Номер канала | Поднятие |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1 Вт |
| Maximum Gate Source Voltage | 30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.3 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 мА |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 3V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mmho |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом |