Моя заявка (0)

2N7000-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 75мА, TO92, Канал обогащенный

2N7000-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 75мА, TO92, Канал обогащенный

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062346746
Артикул
2N7000-G
Бренд
Microchip Technology
Brand
Microchip
Width
4.06mm
Height
5.33мм
Length
5.08mm
Цена по запросу
(от 74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V 5Ohm

Технические параметры

BrandMicrochip
Width4.06mm
Height5.33мм
Length5.08mm
Series2N7000
Pin Count3
Вес, г0.45
Длина5.21 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-92
Высота5.33 mm
Ширина4.06mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаBulk
Тип каналаN
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage0.85V
Вид монтажаThrough Hole
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Номер каналаПоднятие
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationОдинарный
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation1 Вт
Maximum Gate Source Voltage30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокTO-92-3
Maximum Drain Source Voltage60 В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Minimum Gate Threshold Voltage0.8V
Maximum Drain Source Resistance5.3 Ω
Maximum Continuous Drain Current200 мА
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности400 mW
Id - непрерывный ток утечки200 mA
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
Максимальное пороговое напряжение включения3V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.100 mmho

Техническая документация