2N7000-D74Z, Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002160019
- Артикул
- 2N7000-D74Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- FET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- 2N7000
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | 2N7000 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Packaging: | Ammo Pack |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Part # Aliases: | 2N7000_D74Z |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |