2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062346751
- Артикул
- 2N7000-D26Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Width
- 4.19mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- 2N7000
Цена по запросу
(от 24 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Width | 4.19mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | 2N7000 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.27 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-92 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Part # Aliases: | 2N7000_D26Z |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.1 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |