2N7000, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013626112
- Артикул
- 2N7000
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.19mm
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-92
Цена по запросу
(от 60,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Width | 4.19mm |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Power loss | 400 mW |
| Вес, г | 0.21 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 200 mA |
| Package Type | TO-92 |
| max. Voltage | 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |