2N6661 N-Channel MOSFET, 350 mA, 90 V, 3-Pin TO-39 2N6661
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009720781
- Артикул
- 2N6661
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- FET
- Width
- 9.398 Dia.mm
- Brand:
- Microchip Technology
- Series
- 2N6661
Цена по запросу
(от 5 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
2N6661 - это транзистор с улучшенным режимом (обычно выключенный), в котором используется вертикальная структура DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевыx затворов.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Width | 9.398 Dia.mm |
| Brand: | Microchip Technology |
| Series | 2N6661 |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-39 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-39-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | 1 N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | vertical dmos fet |
| Pd - Power Dissipation: | 6.25 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 6.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 90 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 350 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 170 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 350 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 90 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 ом при 1а, 10в |