2N6660 Type N-Channel Single MOSFETs, 410 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-39 2N6660
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050839565
- Артикул
- 2N6660
- Бренд
- Microchip Technology
- Тип
- FET
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Bulk
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 6 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V 3Ohm
Технические параметры
| Тип | FET |
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 6.25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 410 mA |
| Крутизна характеристики, S | 170 mS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.41 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 170 mS |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4000 |