Моя заявка (0)
2N6660, MOSFETs 60V 3Ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005187417
Артикул
2N6660
Бренд
Microchip Technology
Тип
FET
Вес, г
0.2
Channel Type
N Channel
Упаковка
Bulk
Цена по запросу
(от 3 010 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V 3Ohm

Технические параметры

ТипFET
Вес, г0.2
Channel TypeN Channel
УпаковкаBulk
Power Dissipation6.25Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокTO-39-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain Source On State Resistance3Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока410мА
Рассеиваемая Мощность6.25Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2В
Pd - рассеивание мощности6.25 W
Id - непрерывный ток утечки410 mA
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Крутизна характеристики, S170 mS
Напряжение Истока-стока Vds60В
Размер фабричной упаковки500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-39
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Типичное время задержки выключения10 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)3Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.170 mS
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В800 mV
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3 Ohms

Техническая документация