2N6388G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 10А, 2Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017536626
- Артикул
- 2N6388G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Width
- 10.28mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный 2N6388G производства ONSEMI - надежный компонент для мощных устройств. Оснащен корпусом TO220, подходящим для сквозного монтажа (THT). Этот NPN Дарлингтон транзистор имеет максимальный ток коллектора 10 А и напряжение коллектор-эмиттер до 80 В, что позволяет использовать его в силовой электронике. Мощность устройства составляет 2 Вт. Идеален для применения в усилителях, переключателях и других электронных схемах, где требуется высокая усиление тока. Модель 2N6388G отличается простотой интеграции в различные электронные проекты благодаря стандартному корпусу и распространенным характеристикам. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 10 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 2 Корпус TO220
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Width | 10.28mm |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.02 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | 2N6388 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Maximum DC Current Gain | 20000@5A@3V |
| Minimum DC Current Gain | 2500 |
| Тип продукта | Darlington Transistors |
| Maximum Base Current (A) | 0.25 |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Continuous Collector Current | 10А |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain Range | <500|500 to 3600 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Cut-off Current | 1mA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Typical Transition Frequency (MHz) | 20(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Typical Current Gain Bandwidth (MHz) | 20(Min) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 10 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3 V |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 2@0.01A@5A|3@0.1A@10A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 1000 uA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 20000 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |