Моя заявка (0)

2N6387G NPN Darlington Transistor, 10 A dc 60 V dc HFE:1000, 3-Pin TO-220

2N6387G NPN Darlington Transistor, 10 A dc 60 V dc HFE:1000, 3-Pin TO-220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014513849
Артикул
2N6387G
Бренд
ON Semiconductor***
Case
TO220AB
Width
4.83mm
Mounting
THT
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор 2N6387G от производителя ONSEMI отличается монтажом THT, что облегчает его установку в различных электронных устройствах. С током коллектора до 10 А и напряжением коллектор-эмиттер до 60 В, а также мощностью в 2 Вт, этот транзистор идеально подходит для широкого спектра задач. Благодаря типу NPN и виду Дарлингтон, а также корпусу TO220-3, он обеспечивает повышенную эффективность и надежность в своей области применения. Использование модели 2N6387G гарантирует высокую производительность в схемах усиления и коммутации. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 10 Напряжение коллектор-эмиттер, В 60 Мощность, Вт 2 Корпус TO220-3

Технические параметры

CaseTO220AB
Width4.83mm
MountingTHT
Pin Count3
Вес, г1
Длина10.53 mm
Серия2N6388
ManufacturerONSEMI
Package TypeTO-220
Polarisationbipolar
Высота15.75 mm
КорпусTO-220
Ширина4.83 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Kind of packagetube
Transistor TypeNPN
УпаковкаTube
Collector current10A
Power dissipation2W
Kind of transistorDarlington
Type of transistorNPN
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain1000
Тип продуктаDarlington Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage60V
Maximum Power Dissipation65 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage60 V dc
Категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
Maximum Continuous Collector Current10 A dc
Полярность транзистораNPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage3 V dc
Размер фабричной упаковки50
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальный ток отсечки коллектора1000 uA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора10 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100

Техническая документация