2N6317, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004809158
- Артикул
- 2N6317
- Бренд
- Microchip Technology
- RoHS
- N
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Tray
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 8 340 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Технические параметры
| RoHS | N |
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Tray |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Microchip / Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-66-2 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 90 W |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 7 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |