Моя заявка (0)

2N6288G, Trans GP BJT NPN 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

2N6288G, Trans GP BJT NPN 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001206779
Артикул
2N6288G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Through Hole
Frequency
4(MHz)
Packaging
Rail/Tube
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 644 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 7A 30V 40W NPN

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingThrough Hole
Frequency4(MHz)
PackagingRail/Tube
Pin Count3+Tab
Вес, г1
Длина10.28 mm (Max)
Серия2N6288
Output PowerNot Required(W)
Package TypeTO-220AB
Rad HardenedNo
Высота9.28 mm (Max)
КорпусTO-220
Ширина4.82 mm (Max)
ConfigurationSingle
DC Current Gain30
УпаковкаTube
Power Dissipation40(W)
Number of Elements1
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
Вид монтажаThrough Hole
Collector Current (DC)7(A)
Collector-Base Voltage40(V)
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-Emitter Voltage30(V)
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-220-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Operating Temperature ClassificationMilitary
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности40 W
Размер фабричной упаковки50
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток7 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)7
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора7 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)4 MHz

Техническая документация