2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223.]
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223.]](https://static.epl-electro.ru/lib/992/DOC058992441.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001729544
- Артикул
- 2N60G
- Бренд
- EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
- Вес, г
- 0.3
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- Enhancement Mode
Цена по запросу
(от 10,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.3 |
| Корпус | SOT-223 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2 Ом/1А, 10В |