2N6043G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 8А, 75Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060279280
- Артикул
- 2N6043G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Длина
- 10.53 mm
- Серия
- 2N6043
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный 2N6043G от производителя ONSEMI - это высококачественный полупроводниковый компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Данный транзистор обладает впечатляющим током коллектора на уровне 8 А и напряжением коллектор-эмиттер, достигающим 60 В, что делает его подходящим для работы в мощных схемах. С мощностью рассеивания до 75 Вт, он способен справляться с серьезными нагрузками. Тип NPN Дарлингтон указывает на повышенное усиление сигнала, а корпус TO220-3 обеспечивает удобную установку и надежное теплоотведение. Приобретая 2N6043G, вы получаете надежный компонент для своих электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 8 Напряжение коллектор-эмиттер, В 60 Мощность, Вт 75 Корпус TO220-3
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | 2N6043 |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | Darlington Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V dc |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 20 uA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 75 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100, 1000 |