Моя заявка (0)

2N5885G, Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

2N5885G, Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001096572
Артикул
2N5885G
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Type
NPN
Цена по запросу
(от 960 ₽)
Минимальный заказ: 33 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000 МВт 3-контактный лоток (2+ язычка) TO-3

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
TypeNPN
CategoryBipolar Power
MaterialSi
MountingThrough Hole
PackagingTray
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г0.05
PCB changed2
Part StatusObsolete
ConfigurationSingle
Package Width26.67(Max)
Package Length39.37
Supplier PackageTO-3
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Minimum DC Current Gain35@3A@4V, 20@10A@4V, 4@25A@4V
Maximum Base Current (A)7.5
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)200000
Maximum Base-Emitter Voltage (V)5
Maximum DC Collector Current (A)25
Maximum Collector-Base Voltage (V)60
Maximum Operating Temperature (°C)200
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Operating Junction Temperature (°C)-65 to 200
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)60
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)1000000
Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V)2.5@6.25A@25A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)1@1.5A@15A, 4@6.25A@25A

Техническая документация