2N5667S, Trans GP BJT NPN 300V 5A 1200mW 3-Pin TO-39 Bag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043679856
- Артикул
- 2N5667S
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Diameter
- 9.4(Max)
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 4 200 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Сумка Trans GP BJT NPN 300V 5A 1200 МВт с 3-контактным разъемом TO-39
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Diameter | 9.4(Max) |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Корпус | TO-39 |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | TO-39 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | TO |
| Minimum DC Current Gain | 10@3A@5V|25@0.5A@2V|25@1A@5V|5@5A@5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1200 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 400 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 300 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@0.6A@3A|1.5@1A@5A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4@0.6A@3A|1@1A@5A |