2N5551TF, Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306384
- Артикул
- 2N5551TF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO92
- Mounting
- THT
- Frequency
- 100MHz
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 590 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Mounting | THT |
| Frequency | 100MHz |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | 2N5551 |
| Current gain | 30…250 |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | TO-92 |
| Polarisation | bipolar |
| Высота | 4.7 mm |
| Корпус | TO-92 |
| Ширина | 3.93 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Collector current | 0.6A |
| Power dissipation | 0.625W |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 80 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 160V |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |