2N5551TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673720
- Артикул
- 2N5551TA
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 3.93 mm
- Height
- 4.7 mm
Цена по запросу
(от 22,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 3.93 mm |
| Height | 4.7 mm |
| Length | 4.7 mm |
| Series | 2N5551 |
| Packaging | Ammo Pack |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.24 |
| Unit Weight | 0.008466 oz |
| Длина: | 4.7 mm |
| Серия: | 2N5551 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-92 |
| Корпус | TO-92_formed_leads |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Высота: | 4.7 mm |
| Ширина: | 3.93 mm |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 Kinked Lead |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка: | Ammo Pack |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Технология: | Si |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| DC Current Gain hFE Max | 250 |
| Minimum DC Current Gain | 80 |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 180 V |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Торговая марка: | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок: | TO-92-3 Kinked Lead |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 |
| Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2 V |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 625 mW |
| Размер фабричной упаковки: | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 0.6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 180 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 160 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 0.2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |